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FDMC6675BZ

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onsemi

MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP

SOT-23

FDMC6675BZ Technisches Datenblatt

nicht konform

FDMC6675BZ Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.44660 -
6,000 $0.42427 -
15,000 $0.40832 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 14.4mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 65 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2865 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-MLP (3.3x3.3)
Paket / Koffer 8-PowerWDFN
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