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IRFBC40APBF

IRFBC40APBF

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB

IRFBC40APBF Technisches Datenblatt

compliant

IRFBC40APBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.27000 $2.27
50 $1.83040 $91.52
100 $1.64740 $164.74
500 $1.28128 $640.64
1,000 $1.06163 -
2,500 $0.98842 -
5,000 $0.95181 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 42 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1036 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

SIHP22N60EL-GE3
IXFP18N60X
IXFP18N60X
$0 $/Stück
SI1469DH-T1-GE3
BSS123Q-13
IXTT50P10
IXTT50P10
$0 $/Stück
FQD3N40TF

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