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IXFP18N60X

IXFP18N60X

IXFP18N60X

IXYS

MOSFET N-CH 600V 18A TO220AB

IXFP18N60X Technisches Datenblatt

compliant

IXFP18N60X Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
50 $5.12500 $256.25
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 230mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 1.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1440 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 320W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

SI1469DH-T1-GE3
BSS123Q-13
IXTT50P10
IXTT50P10
$0 $/Stück
FQD3N40TF
IRF530NPBF
NX7002BKHH
NX7002BKHH
$0 $/Stück
STD96N3LLH6
DMP2100UQ-7
R6018VNXC7G

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