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IRFD214PBF

IRFD214PBF

IRFD214PBF

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP

IRFD214PBF Technisches Datenblatt

compliant

IRFD214PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.61600 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 450mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2Ohm @ 270mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8.2 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 140 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket 4-HVMDIP
Paket / Koffer 4-DIP (0.300", 7.62mm)
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Zugehörige Teilenummer

SIHF15N60E-GE3
PSMN6R7-40MLDX
ZXM62P02E6TA
FQU7N20TU
SIHG47N60AEL-GE3
RM80N100AT2
RM80N100AT2
$0 $/Stück
DMN2011UFDF-13
IRFP064NPBF

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