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IRFP22N60K

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3

IRFP22N60K Technisches Datenblatt

compliant

IRFP22N60K Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 22A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 280mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 150 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3570 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 370W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

IPB096N03LG
IRF3315SPBF
PHP78NQ03LT,127
PHP78NQ03LT,127
$0 $/Stück
IRFL210
IRFL210
$0 $/Stück
STD150NH02LT4
STP110N7F6
STP110N7F6
$0 $/Stück
IXFQ21N50Q
IXFQ21N50Q
$0 $/Stück
STU11NM60ND

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