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IRFPC50PBF

IRFPC50PBF

IRFPC50PBF

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3

IRFPC50PBF Technisches Datenblatt

compliant

IRFPC50PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $7.08000 $7.08
10 $6.32500 $63.25
100 $5.18650 $518.65
500 $4.19980 $2099.9
1,000 $3.54200 -
2,500 $3.36490 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 600mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 140 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2700 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 180W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

FQB8N25TM
RZM001P02T2L
PSMN1R2-30YLC,115
FQPF3N80C
FQPF3N80C
$0 $/Stück
SI4442DY-T1-E3
FDMC8854
FDMC8854
$0 $/Stück
IXFA30N60X
IXFA30N60X
$0 $/Stück

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