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IRFPE50PBF

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3

IRFPE50PBF Technisches Datenblatt

nicht konform

IRFPE50PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.57000 $4.57
25 $3.69960 $92.49
100 $3.38350 $338.35
500 $2.76710 $1383.55
1,000 $2.35619 -
2,500 $2.24556 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.2Ohm @ 4.7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 200 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3100 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 190W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

APT5017SVRG
NTD6415AN-1G
NTD6415AN-1G
$0 $/Stück
NTP85N03
NTP85N03
$0 $/Stück
NTLJS7D2P02P8ZTAG
NTLJS7D2P02P8ZTAG
$0 $/Stück
IRF9630PBF-BE3
PMN70XPX
PMN70XPX
$0 $/Stück
SCT4036KRHRC15

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