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IRFZ34

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB

IRFZ34 Technisches Datenblatt

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IRFZ34 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
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500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 50mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 46 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1200 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 88W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

NTB75N03L09G
NTB75N03L09G
$0 $/Stück
IRF7456PBF
SI4493DY-T1-E3
ZVN0540ASTOB
STP200N6F3
STP200N6F3
$0 $/Stück
IPU06N03LB G
IRF7204
IRF7204
$0 $/Stück
IPI14N03LA

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