Welcome to ichome.com!
Name | Wert |
---|---|
Produktstatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 100 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 5.6A (Tc) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 4V, 5V |
rds ein (max) @ id, vgs | 540mOhm @ 3.4A, 5V |
vgs(th) (max) @ ID | 2V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 6.1 nC @ 5 V |
vgs (max) | ±10V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 250 pF @ 25 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 43W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
Paket / Koffer | TO-220-3 |
Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.