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IRL640PBF

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IRL640PBF

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 17A TO220AB

IRL640PBF Technisches Datenblatt

nicht konform

IRL640PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.73000 $2.73
50 $2.20000 $110
100 $1.98000 $198
500 $1.54000 $770
1,000 $1.27600 -
2,500 $1.18800 -
5,000 $1.14400 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 17A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4V, 5V
rds ein (max) @ id, vgs 180mOhm @ 10A, 5V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 66 nC @ 5 V
vgs (max) ±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1800 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

AUIRFS6535TRL
RX3L07BGNC16
SI4174DY-T1-GE3
IRFR9110TRRPBF
STB80NF10T4
NTMFS5844NLT1G
NTMFS5844NLT1G
$0 $/Stück
NVTFS5C453NLWFTAG
NVTFS5C453NLWFTAG
$0 $/Stück

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