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SI1012X-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3

nicht konform

SI1012X-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.14520 -
6,000 $0.13640 -
15,000 $0.12760 -
30,000 $0.11704 -
75,000 $0.11264 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 500mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 700mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 900mV @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 0.75 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±6V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SC-89-3
Paket / Koffer SC-89, SOT-490
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