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SIHP125N60EF-GE3

SIHP125N60EF-GE3

SIHP125N60EF-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB

compliant

SIHP125N60EF-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.82315 $2.82315
500 $2.7949185 $1397.45925
1000 $2.766687 $2766.687
1500 $2.7384555 $4107.68325
2000 $2.710224 $5420.448
2500 $2.6819925 $6704.98125
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 25A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 125mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 47 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1533 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 179W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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