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SI1050X-T1-GE3

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SI1050X-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6

nicht konform

SI1050X-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.18755 -
6,000 $0.17545 -
15,000 $0.16335 -
30,000 $0.15488 -
92 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 8 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.34A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 86mOhm @ 1.34A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 900mV @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 11.6 nC @ 5 V
vgs (max) ±5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 585 pF @ 4 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 236mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SC-89 (SOT-563F)
Paket / Koffer SOT-563, SOT-666
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Zugehörige Teilenummer

SCT3080KLHRC11
BUK7510-100B,127
BUK7510-100B,127
$0 $/Stück
FDS5692Z
NDB4060L
NVMFS5C456NLAFT3G
NVMFS5C456NLAFT3G
$0 $/Stück
SUP90142E-GE3
FQU20N06TU
IRF740ASTRLPBF

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