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SI1900DL-T1-GE3

SI1900DL-T1-GE3

SI1900DL-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2 N-CH 30V SC70-6

compliant

SI1900DL-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.24007 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 630mA (Ta), 590mA (Ta)
rds ein (max) @ id, vgs 480mOhm @ 590mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 1.4nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 300mW, 270mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SC-70-6
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Zugehörige Teilenummer

SQ1912EH-T1_GE3
MIC94051BM4TR
DMC3071LVT-13
SI4532CDY-T1-GE3
HP4936DY
DMC2450UV-7
ECH8602M-TL-H
ECH8602M-TL-H
$0 $/Stück
TD9944TG-G
2N7002DW-7-F

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