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SI2309CDS-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

nicht konform

SI2309CDS-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.21660 -
6,000 $0.20340 -
15,000 $0.19020 -
30,000 $0.18096 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 345mOhm @ 1.25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 4.1 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 210 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

BUK9M42-60EX
IRFPF50PBF
IRFPF50PBF
$0 $/Stück
3LP01M-TL-E
3LP01M-TL-E
$0 $/Stück
IPI50R299CP
IPB022N04LG
IRFR7540TRPBF

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