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SI2324DS-T1-BE3

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SI2324DS-T1-BE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23

nicht konform

SI2324DS-T1-BE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.67000 $0.67
500 $0.6633 $331.65
1000 $0.6566 $656.6
1500 $0.6499 $974.85
2000 $0.6432 $1286.4
2500 $0.6365 $1591.25
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.6A (Ta), 2.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 234mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.8V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10.4 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 190 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

G60N04K
G60N04K
$0 $/Stück
SUM110P08-11L-E3
STB14NM50N
STB14NM50N
$0 $/Stück
IXFX52N100X
IXFX52N100X
$0 $/Stück
SCT3105KW7TL
DMT3006LFVQ-13
SIHW61N65EF-GE3
DN2535N5-G

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