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SI2333DS-T1-BE3

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Vishay Siliconix

P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET

nicht konform

SI2333DS-T1-BE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.90000 $0.9
500 $0.891 $445.5
1000 $0.882 $882
1500 $0.873 $1309.5
2000 $0.864 $1728
2500 $0.855 $2137.5
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 12 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.1A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 32mOhm @ 5.3A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 18 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1100 pF @ 6 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 750mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

RQ6A050ZPTR
STD1059-001
STD1059-001
$0 $/Stück
FDMC510P
FDMC510P
$0 $/Stück
FQPF19N20
EPC2019
EPC2019
$0 $/Stück
SIA4265EDJ-T1-GE3
STP7N95K3
STP7N95K3
$0 $/Stück

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