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SI2365EDS-T1-GE3

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SI2365EDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236

nicht konform

SI2365EDS-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.09838 -
6,000 $0.09318 -
15,000 $0.08538 -
30,000 $0.08017 -
75,000 $0.07237 -
150,000 $0.07095 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.9A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 32mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 36 nC @ 8 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

FDPF39N20
FDPF39N20
$0 $/Stück
DMP32D9UFO-7B
IXTA4N80P
IXTA4N80P
$0 $/Stück
STL3N10F7
STL3N10F7
$0 $/Stück
SQJ411EP-T1_GE3

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