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SQJ411EP-T1_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 12V 60A PPAK SO-8

nicht konform

SQJ411EP-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.57072 -
6,000 $0.54392 -
15,000 $0.52478 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 12 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 5.8mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 150 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 9100 pF @ 6 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 68W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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