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SI2369DS-T1-BE3

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SI2369DS-T1-BE3

Vishay Siliconix

P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

nicht konform

SI2369DS-T1-BE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.44000 $0.44
500 $0.4356 $217.8
1000 $0.4312 $431.2
1500 $0.4268 $640.2
2000 $0.4224 $844.8
2500 $0.418 $1045
5850 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.4A (Ta), 7.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 29mOhm @ 5.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 36 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1295 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

IRFB3207PBF
NTH4LN095N65S3H
NTH4LN095N65S3H
$0 $/Stück
FDMS0308AS
FDMS0308AS
$0 $/Stück
IRFL024ZTRPBF
RM27P30LDV
RM27P30LDV
$0 $/Stück
TP0610T-G
IRFU430APBF
IRFU430APBF
$0 $/Stück

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