Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SI4202DY-T1-GE3

SI4202DY-T1-GE3

SI4202DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO

compliant

SI4202DY-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.65600 -
5,000 $0.62520 -
12,500 $0.60320 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12.1A
rds ein (max) @ id, vgs 14mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 17nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 710pF @ 15V
Leistung - max. 3.7W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

ZXMN3A06DN8TA
QH8JB5TCR
QH8JB5TCR
$0 $/Stück
SI5948DU-T1-GE3
BUK9K17-60EX
RF1K4909096
EM6K31T2R
EM6K31T2R
$0 $/Stück
SQJ974EP-T1_BE3
FDMS7620S
FDMS7620S
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.