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SI4286DY-T1-GE3

SI4286DY-T1-GE3

SI4286DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO

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SI4286DY-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.50840 -
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7A
rds ein (max) @ id, vgs 32.5mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10.5nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 375pF @ 20V
Leistung - max. 2.9W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

SP8M51TB1
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SI1028X-T1-GE3
SI7501DN-T1-GE3
IRF7343QTRPBF
SI3993DV-T1-GE3
SP8M9TB
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NTJD4401NT1
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NDS9933
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