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SI4435DDY-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO

nicht konform

SI4435DDY-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.31646 -
5,000 $0.29592 -
12,500 $0.28565 -
25,000 $0.28005 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 24mOhm @ 9.1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1350 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Zugehörige Teilenummer

NTLGF3402PT2G
NTLGF3402PT2G
$0 $/Stück
IRLZ44PBF-BE3
DMN2230UQ-13
DMN61D9UW-13
SQ2362ES-T1_BE3
FDMA86251
FDMA86251
$0 $/Stück
IRL620A
RXH090N03TB1

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