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RXH090N03TB1

RXH090N03TB1

RXH090N03TB1

4V DRIVE NCH MOSFET: MOSFETS ARE

compliant

RXH090N03TB1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.62832 $0.62832
500 $0.6220368 $311.0184
1000 $0.6157536 $615.7536
1500 $0.6094704 $914.2056
2000 $0.6031872 $1206.3744
2500 $0.596904 $1492.26
2500 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 17mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 6.8 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 440 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta)
Betriebstemperatur 150°C
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOP
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Zugehörige Teilenummer

STB6NK60ZT4
IRFS530A
STD110N8F6
STD110N8F6
$0 $/Stück
FDB6035L
FDS4675
FDS4675
$0 $/Stück
DMN2991UTQ-7
FDN359AN
FDN359AN
$0 $/Stück
AUIRFS3806

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