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SI4483ADY-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 19.2A 8SO

nicht konform

SI4483ADY-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.57400 -
5,000 $0.54705 -
12,500 $0.52780 -
24820 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 19.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8.8mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.6V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 135 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3900 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.9W (Ta), 5.9W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Zugehörige Teilenummer

IXTA08N100P
IXTA08N100P
$0 $/Stück
STB18N60M6
STB18N60M6
$0 $/Stück
FQI27N25TU
STW19NM50N
STW19NM50N
$0 $/Stück
IXTQ36N30P
IXTQ36N30P
$0 $/Stück
APT1201R6SVFRG
DMP3026SFDE-13
LND01K1-G
FQD2N80TM
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NTD4959NHT4G
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