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SI4511DY-T1-GE3

SI4511DY-T1-GE3

SI4511DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC

nicht konform

SI4511DY-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7.2A, 4.6A
rds ein (max) @ id, vgs 14.5mOhm @ 9.6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1.8V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 18nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 1.1W
Betriebstemperatur -
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

DMC1018UPD-13
SI6963BDQ-T1-E3
PSMN8R5-100ES
SI4910DY-T1-E3
SI4816DY-T1-GE3
NTMD6N04R2G
NTMD6N04R2G
$0 $/Stück
SI4967DY-T1-E3

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