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SI4622DY-T1-E3

SI4622DY-T1-E3

SI4622DY-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

nicht konform

SI4622DY-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A
rds ein (max) @ id, vgs 16mOhm @ 9.6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 60nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2458pF @ 15V
Leistung - max. 3.3W, 3.1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

SI5980DU-T1-GE3
SIB911DK-T1-GE3
SH8M13GZETB
FDG6301N_D87Z
FDG6301N_D87Z
$0 $/Stück
IRF7754GTRPBF
SI4388DY-T1-E3
SI4618DY-T1-GE3
AUIRF7342Q

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