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SI4814BDY-T1-GE3

SI4814BDY-T1-GE3

SI4814BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC

nicht konform

SI4814BDY-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A, 10.5A
rds ein (max) @ id, vgs 18mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 3.3W, 3.5W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

SI4567DY-T1-GE3
SI4511DY-T1-E3
IRF7910PBF
SI1553DL-T1-E3
SP8K24FU6TB
DMP2100UCB9-7
NVMFD5485NLWFT3G
NVMFD5485NLWFT3G
$0 $/Stück

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