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SI4835DDY-T1-E3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 13A 8SO

nicht konform

SI4835DDY-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.47921 -
5,000 $0.45671 -
12,500 $0.44064 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 13A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 18mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 65 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1960 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 5.6W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Zugehörige Teilenummer

PHB33NQ20T,118
IXTN200N10L2
IXTN200N10L2
$0 $/Stück
FQD30N06TM
FQD30N06TM
$0 $/Stück
FDD120AN15A0-F085
FDD120AN15A0-F085
$0 $/Stück
DMN2450UFB4-7R
NTE2375
NTE2375
$0 $/Stück
IRFI7446GPBF
2SK3821-E
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$0 $/Stück

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