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SI4943BDY-T1-GE3

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SI4943BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC

nicht konform

SI4943BDY-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.3A
rds ein (max) @ id, vgs 19mOhm @ 8.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 25nC @ 5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 1.1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

SI4940DY-T1-GE3
AUIRF7319QTR
IRF7309PBF
BSO303PHXUMA1
SI6973DQ-T1-E3
SP8K3FU6TB
SP8K3FU6TB
$0 $/Stück
2N7002KDWA-TP
SIA922EDJ-T1-GE3

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