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SI4963BDY-T1-GE3

SI4963BDY-T1-GE3

SI4963BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC

compliant

SI4963BDY-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.87175 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.9A
rds ein (max) @ id, vgs 32mOhm @ 6.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 21nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 1.1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

FDMD86100
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$0 $/Stück
CSD87381P
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$0 $/Stück
ISL6594ACRZ-TR5212
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$0 $/Stück
CAB016M12FM3
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SIL2301-TP
CSD87355Q5D
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SI4946CDY-T1-GE3
SLA5059
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