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SI5468DC-T1-GE3

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SI5468DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8

nicht konform

SI5468DC-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.15320 -
6,000 $0.14440 -
15,000 $0.13560 -
30,000 $0.12504 -
75,000 $0.12064 -
3000 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 28mOhm @ 6.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 435 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.3W (Ta), 5.7W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 1206-8 ChipFET™
Paket / Koffer 8-SMD, Flat Lead
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Zugehörige Teilenummer

IXTP20N65X2M
IXTP20N65X2M
$0 $/Stück
RFD8P06LE
SQJQ402E-T1_GE3
STB19NF20
STB19NF20
$0 $/Stück
BUK7Y2R5-40HX
FDMC8360L
FDMC8360L
$0 $/Stück
RS1E350BNTB
FDC654P
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$0 $/Stück
APT58F50J

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