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SI5504BDC-T1-E3

SI5504BDC-T1-E3

SI5504BDC-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

nicht konform

SI5504BDC-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.44660 -
6,000 $0.42427 -
15,000 $0.40832 -
48000 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4A, 3.7A
rds ein (max) @ id, vgs 65mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 7nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 220pF @ 15V
Leistung - max. 3.12W, 3.1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket 1206-8 ChipFET™
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Zugehörige Teilenummer

MCH6605-TL-E
MCH6605-TL-E
$0 $/Stück
NTLUD4C26NTAG
NTLUD4C26NTAG
$0 $/Stück
US6M2TR
US6M2TR
$0 $/Stück
SH8M24TB1
SH8M24TB1
$0 $/Stück
FDB12N50UTM
DMN33D8LDWQ-7
ZXMC4559DN8TA

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