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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 20V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 6A |
| rds ein (max) @ id, vgs | 36mOhm @ 6.1A, 4.5V |
| vgs(th) (max) @ ID | 1.8V @ 250µA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 17.5nC @ 10V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 660pF @ 10V |
| Leistung - max. | 10.4W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart | Surface Mount |
| Paket / Koffer | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® ChipFet Dual |
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