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SI5905BDC-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

nicht konform

SI5905BDC-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 8V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4A
rds ein (max) @ id, vgs 80mOhm @ 3.3A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 11nC @ 8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 350pF @ 4V
Leistung - max. 3.1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket 1206-8 ChipFET™
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Zugehörige Teilenummer

ZXMD63C02XTC
FDS4895C
SSD2025TF
FDS8958B_G
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$0 $/Stück
2N7002DWA-7
IRF7907PBF
DMC62D0SVQ-7
PMGD400UN,115
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$0 $/Stück
NTJD2152PT4
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$0 $/Stück

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