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SI5915BDC-T1-E3

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Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

nicht konform

SI5915BDC-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 8V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4A
rds ein (max) @ id, vgs 70mOhm @ 3.3A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 14nC @ 8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 420pF @ 4V
Leistung - max. 3.1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket 1206-8 ChipFET™
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Zugehörige Teilenummer

SP8M10TB
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ZXMN3A06DN8TC
MMDF3N04HDR2
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$0 $/Stück
NVMFD5853NLWFT1G
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$0 $/Stück
PMWD30UN,518
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$0 $/Stück
NTJD4152PT1
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$0 $/Stück
FDG6314P
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NVMFD5877NLT1G
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AUIRF7103Q
SI4501ADY-T1-E3

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