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SI5935CDC-T1-GE3

SI5935CDC-T1-GE3

SI5935CDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8

nicht konform

SI5935CDC-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.21660 -
6,000 $0.20340 -
15,000 $0.19020 -
30,000 $0.18096 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4A
rds ein (max) @ id, vgs 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 11nC @ 5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 455pF @ 10V
Leistung - max. 3.1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket 1206-8 ChipFET™
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Zugehörige Teilenummer

DMN4026SSD-13
SMA5131
SMA5131
$0 $/Stück
SIZ254DT-T1-GE3
EPC2101
EPC2101
$0 $/Stück
CSD87501L
CSD87501L
$0 $/Stück
SI6954ADQ-T1-E3
MCH6635-TL-E
MCH6635-TL-E
$0 $/Stück

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