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SI6926ADQ-T1-GE3

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SI6926ADQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8-TSSOP

nicht konform

SI6926ADQ-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.37290 -
6,000 $0.34870 -
15,000 $0.33660 -
30,000 $0.33000 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.1A
rds ein (max) @ id, vgs 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 830mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-TSSOP
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Zugehörige Teilenummer

SQJ504EP-T1_GE3
SI9926CDY-T1-GE3
SQ4920EY-T1_GE3
SI5902BDC-T1-E3
MIC4426CMTR
SQJ208EP-T1_GE3
NVMFD5485NLT1G
NVMFD5485NLT1G
$0 $/Stück
DMC2025UFDBQ-7

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