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SI7106DN-T1-GE3

SI7106DN-T1-GE3

SI7106DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8

compliant

SI7106DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.61041 -
6,000 $0.58175 -
15,000 $0.56128 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 27 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

SI4134DY-T1-E3
SIDR170DP-T1-RE3
NVGS4111PT1G
NVGS4111PT1G
$0 $/Stück
RCJ050N25TL
FCPF9N60NTYDTU
FCPF9N60NTYDTU
$0 $/Stück
IPI65R190C
STF11NM60ND
NVMFS5C410NAFT3G
NVMFS5C410NAFT3G
$0 $/Stück

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