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SI7114DN-T1-E3

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SI7114DN-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 11.7A PPAK1212-8

nicht konform

SI7114DN-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.71702 -
6,000 $0.68117 -
15,000 $0.65556 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11.7A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.5mOhm @ 18.3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 19 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

FCD850N80Z
FCD850N80Z
$0 $/Stück
SI4850EY-T1-E3
STI20N65M5
STI20N65M5
$0 $/Stück
IXFT50N60P3
IXFT50N60P3
$0 $/Stück
FQP2P40-F080
FQP2P40-F080
$0 $/Stück
DMN6040SK3-13
APT8014L2FLLG
FQP19N10L
FQD4P40TM
FQD4P40TM
$0 $/Stück

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