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SI7430DP-T1-E3

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SI7430DP-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8

compliant

SI7430DP-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.41239 -
6,000 $1.36338 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 26A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 8V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 45mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 43 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1735 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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