Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SIJ438DP-T1-GE3

SIJ438DP-T1-GE3

SIJ438DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8

compliant

SIJ438DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.81918 -
6,000 $0.78072 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.35mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 182 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 9400 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 69.4W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

IRFR9310TRLPBF-BE3
FDB2532
FDB2532
$0 $/Stück
SI7469DP-T1-GE3
STF5NK100Z
STF5NK100Z
$0 $/Stück
IXFK120N65X2
IXFK120N65X2
$0 $/Stück
IXFH36N60X3
IXFH36N60X3
$0 $/Stück
SUM50020EL-GE3

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.