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SI7489DP-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8

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SI7489DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.35518 -
6,000 $1.30815 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 28A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 41mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 160 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4600 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5.2W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

FDP030N06B-F102
FDP030N06B-F102
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DMG4468LK3-13
SFT1341-W
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$0 $/Stück
SCH1434-TL-H
SCH1434-TL-H
$0 $/Stück
SI7322DN-T1-E3
NTMS5838NLR2G
NTMS5838NLR2G
$0 $/Stück
IXFP3N120
IXFP3N120
$0 $/Stück
DMN4800LSSQ-13
FCH077N65F-F085
FCH077N65F-F085
$0 $/Stück
IRF9388TRPBF

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