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SI7615DN-T1-GE3

SI7615DN-T1-GE3

SI7615DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8

compliant

SI7615DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.77080 -
6,000 $0.73461 -
15,000 $0.70876 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 35A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 183 nC @ 10 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6000 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

SIHF30N60E-GE3
MMDF6N02HDR2
MMDF6N02HDR2
$0 $/Stück
BUK6C2R1-55C,118
DMN601WK-7
FDC3535
FDC3535
$0 $/Stück
IRFP054NPBF
FDP2552
FDP2552
$0 $/Stück
PMPB09R5VPX
PMPB09R5VPX
$0 $/Stück

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