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SI7726DN-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8

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SI7726DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.42640 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 35A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.6V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 43 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1765 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

SIS434DN-T1-GE3
DMP510DL-7
FDMA507PZ
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$0 $/Stück
RM30N100LD
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NTMFS5C404NLTWFT1G
NTMFS5C404NLTWFT1G
$0 $/Stück
IXTA3N110
IXTA3N110
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IXFA16N60P3
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NVMJS0D9N04CTWG
NVMJS0D9N04CTWG
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SIHB18N60E-GE3

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