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SI7846DP-T1-E3

SI7846DP-T1-E3

SI7846DP-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8

compliant

SI7846DP-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.03199 -
6,000 $0.99618 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 50mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 36 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.9W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

FDS6572A
AUIRFZ44ZS
FDD6688
PMV30XN,215
PMV30XN,215
$0 $/Stück
DMT2004UFV-13
IRF830ASTRLPBF
SIR690DP-T1-GE3

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