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SI7900AEDN-T1-E3

SI7900AEDN-T1-E3

SI7900AEDN-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

nicht konform

SI7900AEDN-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.80360 -
6,000 $0.76587 -
50447 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A
rds ein (max) @ id, vgs 26mOhm @ 8.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 900mV @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 16nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 1.5W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8 Dual
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8 Dual
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Zugehörige Teilenummer

SIZF300DT-T1-GE3
2N7002DS6
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$0 $/Stück
DMN6022SSD-13
NTMFD4C87NT1G
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$0 $/Stück
QS8M11TCR
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$0 $/Stück
FDMS9620S
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$0 $/Stück
NVMFD5852NLWFT1G
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SH8JC5TB1
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SI1029X-T1-GE3

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