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SI7900AEDN-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

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SI7900AEDN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.55760 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A
rds ein (max) @ id, vgs 26mOhm @ 8.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 900mV @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 16nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 1.5W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8 Dual
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8 Dual
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Zugehörige Teilenummer

FDME1024NZT
FDME1024NZT
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CSD87381PT
CSD87381PT
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DMN2710UDWQ-7
DMG1016UDWQ-7
NTLJD2104PTBG
NTLJD2104PTBG
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