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SI7956DP-T1-GE3

SI7956DP-T1-GE3

SI7956DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

nicht konform

SI7956DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.78182 -
6,000 $1.71912 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.6A
rds ein (max) @ id, vgs 105mOhm @ 4.1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 26nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 1.4W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8 Dual
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual
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Zugehörige Teilenummer

FQS4900TF
FDMQ86530L
FDMQ86530L
$0 $/Stück
UM6K31NTN
UM6K31NTN
$0 $/Stück
DMG1016VQ-13
FDS8934A
DMP2004DWK-7
SH8K12TB1
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$0 $/Stück

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