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SIA425EDJ-T1-GE3

SIA425EDJ-T1-GE3

SIA425EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6

compliant

SIA425EDJ-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 60mOhm @ 4.2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6
Paket / Koffer PowerPAK® SC-70-6
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Zugehörige Teilenummer

STF6NM60N
STF6NM60N
$0 $/Stück
IPI09N03LA
PHD82NQ03LT,118
PHD82NQ03LT,118
$0 $/Stück
PMG85XP125
PMG85XP125
$0 $/Stück
IRFS4610PBF
STF11N65K3
STF11N65K3
$0 $/Stück
SI5441DC-T1-E3

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